肖特基二极管原理

    肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，使用二者触摸面上构成的势垒具有整流特性而制成的多属-半导体器材。因为N型半导体中存在着很多的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便工业消泡剂什地方可以买到从浓度高的B中向浓度低的A中分散。明显，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的分散运动。跟着电子不断从B分散到A，B外表电子浓度外表逐渐降轻工业部，外表电中性被损工业消泡剂什地方可以买到坏，于是就构成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场效果之下，A中的电子也会发生从A→B的漂移运动，然后消弱了因为分散运动而构成的电场。当建立起必定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子分散运动到达相对的平衡，便构成了肖特基势垒。

    典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面构成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极（阻档层）金属资料是钼。二氧化硅（SiO2）用来消除边际区域的电场，进步管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高1  %倍。在基片下边构成N+阴极层，其效果是减小阴极的触摸电阻。经过调整结构参数，可在基片与阳极金属之间构成适宜的肖特基势垒，当加上正偏压E时，金属A和N型基片B别离接电源的正、负极，此时局垒宽度Wo变窄。加负偏压-E时，势垒宽度就添加。

    综上所述，肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的差异通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，近年来，选用硅平面工艺制作的铝硅肖特基二极管也已面世，这不仅可节约贵金属，大幅度降低成本，还改工业消泡剂什地方可以买到进了参数的一致性。

    肖特基整流管仅用一种载流子（电子）运送电荷，在势垒外侧无过剩少量载流子的堆集，因而，不存在电荷贮存问题（Qrr→ ），使开关特性获得时显改进。其反向恢复时间已能缩短到1 ns以内。但它的反向耐压值较低，一般不超过去时1  V。因而适宜在低压、大电流情况下作业。使用其低压降这特色，能进步低压、大电流整流（或续流）电路的功率

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    肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大差异，它的内部是由阳极金属（用钼或铝等资料制成的阻挡层）、二氧化硅（SiO2）电场消除资料、N-外延层（砷资料）、N型硅基片、N+阴极层及阴极金属等构成，如图4-44所示。在N型基片和阳极金属之间构成肖特工业消泡剂什地方可以买到基势垒。当在肖特基势垒两头加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两头加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。

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